1. 近期投资者较担忧电力供应、市场周期性供应暂停和客户回报率低等问题，英伟达管理层表示能搞定。英伟达认为电力短缺问题并不像投资者担心的那么严重。老黄更关心的是(1)保持和吸引顶尖的AI人才的能力，以及(2)执行其日益复杂且仍然紧张的供应链的能力。2. #24至25年英伟达的市场地位和产品重要性将显著提升。在GTC上，NVIDIA并未展示B100或B200产品，而是将HGX(包含35,000个组件的服务器板)视为“英雄产品”，对于下一阶段的Blackwell产品，预见GB200 NVL72将成为重点产品。虽然配置多样，但本质上是9个HGX板与网络、物理连接和其他组件的组合。从产品组合变化可得出的结论：一是预期这些系统将采用Grace CPU而不是X86，这将改变开发者生态系统的网络效应；二是虽然预测并不会为英伟达带来九倍的内容增值，但计算单元的增值将会发生，这将反击有关客户低ROI的悲观空头论调。3. DGX云虽然不是GTC的焦点，但发展良好，在GTC上相关服务讨论较少，但管理层表示DGX云一来满足了英伟达内部开发的需求，二来能给客户提供英伟达的品牌云服务。管理层称两方面都在快速推进。==================================➡1、4月4日，韩国SK海力士宣布，#将投资38.7亿美元在美国印第安纳州建造一座先进的芯片封装工厂。据悉，该工厂将以下一代高带宽内存HBM为中心，预计于2028年大规模投产。➡2、4月24日，#韩国sk海力士计划投资146亿美元扩大芯片产能，以满足人工智能开发需求；➡3、SK海力士表示旗下HBM产能即使在2024年翻倍，也还是已经饱和；#美光科技向英伟达供货，生产配额也全部售罄。美光科技预计，整个2024财年，HBM系列产品将为公司带来“数亿美元”的营收，甚至有望比肩公司第二大业务——NAND业务。➡4、#三星与AMD签署4万亿韩元的HBM3E供货协议；➡5、消息人士透露，三星的先进封装 (AVP) 团队将为英伟达提供 Interposer（中间层）和 I-Cube，这是其自主研发的 2.5D 封装技术，高带宽内存 (HBM) 和 GPU 晶圆的生产将由其他公司负责。🌻附：#目前全球HBM市场格局:海士力，市占率50%;三星，市占率40%;美光，市占率10%。存储周期+AI创新+国产化三重逻辑共振，建议关注：1）HBM产业链：香农芯创/赛腾股份/精智达/联瑞新材/华海诚科/雅克科技/深科技等4）上游设计端：兆易创新/普冉股份/东芯股份/北京君正等==================================【CJ电子】从三星法说会看存储顺周期和成长逻辑的双重演绎2023Q4，三星电子存储业务线实现营收15.71万亿韩元、同比+29%、环比+49%。三星存储专注于拓展高附加值存储产品，大幅提升HBM、DDR5、LPDDR5X、UFS4.0等高附加值产品的销售。23Q4，DRAM位元出货量增长35%左右，ASP双位数提升；DRAM业务开始盈利；其中服务器DRAM位元环比增长超60%；NAND位元出货量增长30%、ASP提升高个位数百分比；其中服务器SSD出货量环比增长近50%。三星存储位元出货量增长高于市场平均增长，自身库存持续消化，预计24Q1DRAM库存恢复至正常水平，24H1 NAND Flash库存恢复至正常水平。#HBM营收高增、重点发力HBM3&HBM3E产品HBM环比增长40%，同比3.5倍。HBM3于23Q3开始量产，四季度新增核心GPU客户助力营收增长。HBM3&HBM3E有望于24H1占HBM营收的50%+，24H2占HBM营收的比重达90%左右。8层堆叠的HBM3E于24H1实现量产；12层堆叠36GB HBM3E一季度处于送样阶段。HBM4预计于25年送样，26年量产。#供需研判——成长性确定、供给增长相对有限（高端产品线供给受限更为突出）需求端持续改善。一方面，生成式AI服务器搭载更多HBM和DDR5，8TB NAND Flash SSD需求已至。另一方面，AI PC和AI手机助力终端出货量+单机DRAM搭载量提升。供给端增长有限。2023年行业资本开支大幅减少致先进技术节点迁移和新产能的释放延迟，其中先进技术节点相对有限的位元供给更为明显。2024年行业资本开支虽然有所恢复，但大部分集中于市场爆发式成长的HBM领域。模组&分销环节（存储价格与库存成本的剪刀切）：江波龙、德明利、佰维存储、万润科技、香农芯创、朗科科技、翔港科技；内存接口及配套芯片公司（DDR5渗透率快速提升下的业绩兑现）：澜起科技、聚辰股份；利基型存储（基本面触底，需求复苏）：兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、恒烁股份===================================【GJ电子】AI对存储晶圆产能消耗拉动显著，存储价格或延续上涨趋势（1）经过我们的计算，AI的增长对于服务器存储需求增量较大，计算结果如下：内存：以GB200 NVL72为例——单台GB200 NVL72 （HBM+LPDDR5x）消耗晶圆片数为15.21片。SSD：以DGX H100为例为例——单台DGX H100 SSD消耗晶圆0.46片。（2）AI端侧对于存储容量的需求不断增加，所需产能的计算结果如下：手机：若内存由8GB增加至16GB，DRAM晶圆新增消耗量约3643.26千片，若闪存容量由256GB增加至512GB，NAND晶圆新增消耗量约4033.61千片。PC：若内存由16GB增加至32GB，DRAM晶圆新增消耗量约1518.03千片，若闪存由512GB增加至1TB，NAND晶圆新增消耗量约1680.67千片。（3）2023年末，全球DRAM总产能约1351千片/月，NAND总产能约1157千片/月，AI的发展对于晶圆的消耗量有着比较明显的推动。（4）投资建议：推荐标的：兆易创新，聚辰股份，受益标的：江波龙，东芯股份，北京君正，普冉股份。====================================【GF电子团队】“AI的裂变时刻”系列报告9：假如L40S使用HBM显存？——对国产推理算力芯片厂商的启示我们假设英伟达L40S算力参数不变，使用HBM替代GDDR。理论推算结果显示，使用HBM会显著提升推理性能；使用192GB容量、8TB/s带宽HBM时，推理性能可达原L40S芯片的约13倍。这对国产推理算力芯片厂商产品定义与设计带来启示：使用更高带宽、更大容量的HBM对于提升产品推理性能起到事半功倍的效果。Decode阶段通常属于显存带宽密集场景，更高的显存带宽对于加速Decode环节至关重要。根据推算，相较于使用864GB/s带宽GDDR，若使用8TB/s 带宽HBM，每次模型读取所需时间从39ms减少至4ms；相同Batch Size情况下推理性能提高至约9倍。 增大Batch Size可提高推理效率；根据推算，48GB容量GDDR6支持的最大Batch Size为16；若使用192GB容量HBM，可支持的最大Batch Size提升至64，从而有效提高了推理全流程平均每卡每秒Throughput。一方面，超长上下文会使得推理过程KV Cache增大，对显存容量提出了更高的要求；另一方面，为保障用户体验，超长上下文也会对显存带宽带来更高的要求。因此，超长上下文的发展趋势也会带动对高带宽、大容量HBM显存方案的需求。 ==================================【GJ电子】GB200方案产业链进展和我们对格局的观点240416今日盛传GB200 NVLINK Switch板方案改变至HDI，致使相关公司股价反应强烈。在前期与市场拆解GB200时我们就有提到当前NVLINK Switch板有多种设计正在同时进行，我们再重申一下我们的观点：当前NVLINK Switch板有两种方案在送样测试，其一为1阶30层（低阶HDI板），其二为6阶24层（高阶HDI板），目前整个方案还未定板，但不难看出海外大客户对HDI技术使用偏好，我们认为这也是高速通信发展中芯片I/O数增加、系统集成化要求提高的必然趋势；格局上利好大陆紧密配合的厂商。之前HDI供应份额为台系厂商1家独供状态，HDI需求增加将使得海外产业链核心厂商去替代台系厂商份额，值得关注的是：【沪电股份】在2021年就启动预计产值19.8亿的HDI项目、2024年1月又加快预计产值5.5亿的HDI技改项目，作为长时间配合海外大客户AI产品的主要供应商，沪电股份正在蓄力待发；【胜宏科技】惠州HDI工厂已经全面开出，跟海外大客户HDI类产品配合积极度高，有望在海外大客户HDI产品有所突破；【景旺电子】软板产能、珠海高多层、HDI产能正在全方面配合海外大客户做未来研发类产品，公司当前是海外大客户软板主要供方；【生益科技】唯一进入海外大客户高速类CCL竞争产业链的大陆厂商。================================GB200设计变化对HDI用量影响测算：单颗GPU的PCB价值量是H系列的2倍+，单颗GPU的HDI价值量是H系列的5倍+🚀以NVL72机柜为例：几乎所有主要板子均可能采用HDI工艺，单颗GPU使用的HDI价值量约375美金compute tray：superchip（GPU*2+CPU*1）采用的是5阶HDI，单块PCB价值量约500美金，对应单颗GPU价值量约500/2=250美金switch tray：采用的是6阶HDI，承载nvswitch芯片，单pcs价值量约1000+美金，对应单颗GPU价值量约1000*9/72=125美金，若为NVL36则还会更高🚀对比H系列的八卡HGX服务器：单颗GPU使用的PCB价值量约150美金，单颗GPU使用的HDI价值量约70美金OAM卡：采用4阶HDI工艺，单卡价值量约70+美金UBB模组：高多层通孔工艺，单张价值量约600美金，对应单颗GPU价值量约600/8=75美金
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