关于国产光刻机最新消息:
1、国产EUV光刻胶，完成了中试（应该是用原理样机搞的）。国产EUV光刻胶技术指标达到20nm线宽，支持7nm工艺节点。
2、某中心利用国产刻蚀机和国产沉积设备做出来的晶体管鳍片间距是24nm (台积电5NM节点是25NM到26NM)
3、原理样机在02专项里已经完成，现在国产EUV处于商用原型机研发阶段。