全球最大的镓采购商弗莱伯格复合材料公司首席执行官迈克尔·哈茨在接受路透社受访时表示，日前中国计划对镓实施出口管制，已导致客户疯狂囤积该公司使用镓金属生产的特种半导体晶圆。“我的客户一点也不轻松，现在涌现了大量订单以增加库存水平，整个行业非常紧张。”哈茨说。（界面）

长光华芯公司建设完成了用于高功率半导体激光芯片的 6 吋砷化镓晶圆生产线

在产品方面，公司的高功率半导体激光芯片从 2021 年的 30W 提升到 2022年的 35W，公司将陆续推出更高瓦数、更高性能的不同波长、不同应用领域的高功率半导体激光芯片；公司开发的超高填充因子长腔长阵列芯片结构，阵列芯片在低温高功率下的电光效率超过 70%，达国际领先水平。在工艺平台方面，公司建设完成了用于高功率半导体激光芯片的 6 吋砷化镓晶圆生产线，其中包括MOCVD 外延生长和晶圆制造，产能提高了 5 倍以上，使公司在行业赛道中处于领先地位。

由于公司的产品主要为高集成度的射频前端模组，公司除了需掌握核心芯片的设计能力外，还需要掌握模组设计能力，即将多个射频前端器件通过系统级封装后进行集成，需同时兼顾封装工艺、封装体积、模组性能、器件之间的相互干扰等因素，并满足封装良率的要求，封装设计与芯片设计需密切配合以达到最佳效果。 在芯片设计方面，公司实现可重构射频前端架构，提升了产品性能与集成度，为此针对性的设计出相关的电路，例如偏置控制电路、记忆效应改善电路、模拟预失真电路、匹配电路、驱动级射频放大电路以及其他相关电路，从而达到可重构射频前端架构的整体优化。在封装设计方面， 2019 年，公司已经成功在射频前端模组产品中导入全倒装封装工艺（包含砷化镓晶圆、绝缘硅晶圆的全器件倒装封装），相比传统的引线键合封装工艺具有更优的散热效果、更佳的性能和高集成度优势。

公司在封装工艺上拥有较强的技术积累，基于对砷化镓、绝缘硅材料特征的研究，结合晶圆电路设计，成功将倒装工艺全面应用于砷化镓及绝缘硅晶圆。2019年公司已经成功在射频前端模组产品中导入全倒装封装工艺（包含砷化镓晶圆、绝缘硅晶圆的全器件倒装封装），相比传统的引线键合封装工艺具有更优的散热效果、更佳的性能和高集成度优势，为 4G、 5G 等高端的高集成度模组提供封装工艺基础。