CINNO Research产业资讯，SK海力士在新一代高带宽内存(HBM，High Bandwidth Memory)市场上，正展开乘胜追击。其秘诀正是得益于MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)技术。通过自主研发的这项技术，SK海力士不仅击败了竞争对手美光半导体（Micron），还击败了DRAM市场排名第一的三星电子，主导了处于起步阶段的HBM内存市场。曾位居DRAM万年老二的SK海力士在最前沿的内存市场技术上领先竞争对手，另业界瞩目。

根据韩媒Thelec报道，据业界消息，据推测，在全球高附加值产品HBM市场，SK海力士占有约70%-80%的份额。

HBM市场目前还处于起步阶段，本身规模并不大。尽管如此，作为行业万年第二的SK海力士依然引领着高附加值DRAM市场，这一点在许多方面意义深远。

据悉，HBM (High Bandwidth Memory，高带宽存储器)是由垂直堆叠在一起的DRAM芯片组合而成的高价值、高性能内存，其数据处理速度大幅领先于传统的DRAM。

HBM广泛应用于人工智能(AI)、超级计算机、高性能服务器等领域。HBM3 DRAM是第四代HBM产品，此前三代分别为HBM（第一代）、HBM2（第二代），以及HBM2E（第三代）。

随着人工智能（AI）和大数据（Big data）等尖端技术的加速发展，全球主要科技企业正在探索创新方法，以快速处理增速迅猛的数据量。相较于传统DRAM，HBM在数据处理速度和性能方面都具有显著优势，有望获得业界广泛关注并被越来越多地采用。

今年6月，SK海力士曾宣布首次实现HBM3产品量产，拥有全球最佳性能的DRAM。SK海力士相关人士表示：“继去年10月成功开发出业界首款HBM3 DRAM后，时隔7个月实现量产，向客户供应产品，由此掌握了市场主导权，有望进一步巩固在高端DRAM市场的领导地位。”

SK海力士在HBM市场之所以崭露头角的原动力就是因为MR-MUF这种技术。MR-MUF是一种高端封装工艺技术。MR-MUF是指将半导体芯片贴附在电路上，在芯片向上堆放时，在芯片和芯片之间使用一种称为EMC的物质填充和粘贴的工艺。

到目前为止，在这个工艺中使用NCF技术。NCF是一种在芯片和芯片之间使用薄膜进行堆叠的方式。三星电子、SK海力士、美光半导体等DRAM厂商采用了NCF技术。SK海力士从第三代HBM-HBM2E开始采用这种方式。

当初，三星电子等竞争厂商预测是成功采用MR-MUF方式是不可能的。但是SK海力士PKG开发部门通过日本NAMICS公司获得材料供应，并成功开发。据传，三星电子等主要DRAM厂商听到上述消息后，均感到无比震惊。据了解，三星电子目前也在研究MR-MUF方式。

业界某相关人士表示：“MR-MUF方式与NCF相比，导热率高出2倍左右，不仅对于工艺速度，还是良率等都有很大影响。虽然现在仍处于初期阶段，但是从2023年开始，预计HBM3市场将正式扩大。”